I diodi laser a farfalla DFB da 1273 nm per il rilevamento HF sono stati progettati specificamente per soddisfare i requisiti dell'applicazione del sensore. I dispositivi sono caratterizzati da un'elevata potenza di uscita e un'ampia gamma di temperature di esercizio. I loro pacchetti a farfalla a 14 pin sono compatibili con i dispositivi SONET OC-48 standard.
I diodi laser COC (Chip on Carrier) da 808 nm e 12 W rappresentano una scelta eccellente per i clienti che cercano prestazioni all'avanguardia ad alta potenza in un design con sottomontaggio standard a basso costo. BoxOptronics è disponibile nell'intervallo di lunghezze d'onda da 8XX a 9XX ed è disponibile in una varietà di configurazioni, inclusi dispositivi monomodali e multimodali sia per il funzionamento CW che a impulsi. Le applicazioni per i dispositivi COC di BoxOptronics includono apparecchiature medicali OEM, sorgenti di pompaggio, puntamento militare, OTDR, telemetria e illuminazione. Lunghezze d'onda e configurazioni personalizzate disponibili su richiesta.
Questo diodo laser in fibra di alta qualità da 760 nm 2 W è stato sviluppato per applicazioni di pompaggio laser in fibra e in applicazioni mediche o di lavorazione dei materiali. Offre fino a 2 W di potenza laser da una fibra da 105 µm in un'apertura numerica di 0,22 con stabilizzazione della lunghezza d'onda opzionale da 760 nm.
Questo modulo laser in fibra DFB CW da 1550 nm 200 mW adotta il chip laser DFB e il modulo del percorso ottico ad alto guadagno per realizzare l'uscita ad alta potenza della fibra monomodale. Il circuito di guida laser e di controllo della temperatura dal design professionale garantisce il funzionamento sicuro e stabile del laser.
La fibra drogata con erbio in banda C è progettata per amplificatori in fibra monocanale e multicanale in banda C, sorgente luminosa ASE, EDFA per reti metropolitane, EDFA per CATV ed EDFA per DWDM. La fibra ottica può essere pompata a 980 nm o 1480 nm e ha una bassa perdita e una buona consistenza durante il collegamento con la fibra ottica di comunicazione.
Il chip fotodiodo InGaAs da 300 um offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, perfetta per le telecomunicazioni e il rilevamento IR vicino. Il fotodiodo è perfetto per applicazioni ad alta larghezza di banda e allineamento attivo.
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