Fotodiodi InGaAs con area attiva da 0,3 mm per il rilevamento della luce nel vicino infrarosso. Le caratteristiche includono alta velocità, alta sensibilità, basso rumore e risposte spettrali che vanno da 1100 nm a 1650 nm Adatto per un'ampia gamma di applicazioni tra cui comunicazione ottica, analisi e misurazione.
Il fotodiodo PIN InGaAs ad area attiva da 1 mm per il rilevamento della luce nel vicino infrarosso. Le caratteristiche includono alta velocità, alta sensibilità, basso rumore e risposte spettrali che vanno da 1100 nm a 1650 nm Adatto per un'ampia gamma di applicazioni tra cui comunicazione ottica, analisi e misurazione.
Fotodiodo PIN InGaAs TO-CAN ad area attiva da 2 mm, fotodiodo ad alta sensibilità per l'uso in strumentazione a infrarossi e applicazioni di rilevamento. Elevata risposta spettrale nella regione da 800 nm a 1700 nm.
Il chip fotodiodo InGaAs da 300 um offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, perfetta per le telecomunicazioni e il rilevamento IR vicino. Il fotodiodo è perfetto per applicazioni ad alta larghezza di banda e allineamento attivo.
Il chip fotodiodo PIN InGaAs da 500 um offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, perfetta per il rilevamento delle telecomunicazioni e del vicino IR. Il fotodiodo è perfetto per applicazioni ad alta larghezza di banda e allineamento attivo.
Il chip fotodiodo InGaAs/InP PIN da 1 mm offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, il chip fotodiodo InGaAs/InP PIN da 1 mm è ideale per applicazioni di rete ottica a larghezza di banda elevata 1310 nm e 1550 nm. La serie di dispositivi offre alta reattività, bassa corrente di buio e larghezza di banda elevata per prestazioni elevate e design del ricevitore a bassa sensibilità. Questo dispositivo è ideale per i produttori di ricevitori ottici, transponder, moduli di trasmissione ottica e combinazione di fotodiodo PIN – amplificatore di transimpedenza.
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