Fotodiodi InGaAs con area attiva da 0,3 mm per il rilevamento della luce nel vicino infrarosso. Le caratteristiche includono alta velocità, alta sensibilità, basso rumore e risposte spettrali che vanno da 1100 nm a 1650 nm Adatto per un'ampia gamma di applicazioni tra cui comunicazione ottica, analisi e misurazione.
I fotodiodi InGaAs ad area attiva da 0,3 mm per il rilevamento della luce nel vicino infrarosso. Le caratteristiche includono alta velocità, alta sensibilità, basso rumore e risposte spettrali che vanno da 1100 nm a 1650 nm Adatto per un'ampia gamma di applicazioni tra cui comunicazione ottica, analisi e misurazione.
I fotodiodi InGaAs ad area attiva da 0,3 mm per il rilevamento della luce nel vicino infrarosso. Le caratteristiche includono alta velocità, alta sensibilità, basso rumore e risposte spettrali che vanno da 1100 nm a 1650 nm Adatto per un'ampia gamma di applicazioni tra cui comunicazione ottica, analisi e misurazione.
Rileva la gamma 1100 nm-1650 nm;
Pacchetto coassiale;
Bassa corrente di oscurità, bassa capacità;
Alta affidabilità, lunga durata.
Ricevitore ottico analogico;
Apparecchiature di prova.
Parametro | Simbolo | Condizione | min. | tip. | Massimo | Unità |
Gamma di lunghezze d'onda | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
Area attiva | φ | - | - | 0.3 | - | mm |
Reattività | R | Vr=-5V, λ =1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/I |
Vr=-5V, λ =1550nm | 0.90 | 0.95 | - | |||
Corrente oscura | ID | Vr=-5V | - | - | 1 | n / A |
Tensione di esercizio | V | - | - | -5 | - | V |
Tempo di salita | TR | VR=5V, RL=50Ω | - | - | 1.5 | ns |
Capacità | CPD | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | - | 20 | pF |
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A: abbiamo un fotodiodo PIN InGaAs con area attiva da 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.
D: Qual è il requisito per il connettore?A: Box Optronics può personalizzare in base alle tue esigenze.
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