Il chip fotodiodo InGaAs da 300 um offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, perfetta per le telecomunicazioni e il rilevamento IR vicino. Il fotodiodo è perfetto per applicazioni ad alta larghezza di banda e allineamento attivo.
Il chip fotodiodo InGaAs da 300 um offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, perfetta per le telecomunicazioni e il rilevamento IR vicino. Il fotodiodo è perfetto per applicazioni ad alta larghezza di banda e allineamento attivo.
Il chip fotodiodo InGaAs da 300 um offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, perfetta per le telecomunicazioni e il rilevamento IR vicino. Il fotodiodo è perfetto per applicazioni ad alta larghezza di banda e allineamento attivo.
Rileva la gamma 900 nm-1650 nm;
Ad alta velocità;
Alta reattività;
Bassa capacità;
Bassa corrente di oscurità;
Struttura planare illuminata dall'alto.
Monitoraggio;
Strumenti in fibra ottica;
Comunicazioni dati.
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Tensione inversa | VRmax | 20 | V |
| Corrente diretta | - | 10 | mA |
| Temperatura di esercizio | Topr | Da -40 a +85 | ℃ |
| Temperatura di conservazione | Tstg | Da -55 a +125 | ℃ |
| Parametro | Simbolo | Condizione | min. | tip. | Massimo | Unità |
| Gamma di lunghezze d'onda | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Reattività | R | λ = 1310 nm | 0.85 | 0.90 | - | A/I |
| λ = 1550 nm | - | 0.95 | - | |||
| λ = 850 nm | - | 0.20 | - | |||
| Corrente oscura | ID | Vr=5V | - | 1.0 | 5.0 | n / A |
| Capacità | C | VR=5V, f=1MHz | - | 4.2 | 6.0 | pF |
| Larghezza di banda | Bw | 3dB giù, RL=50Ω | - | 1.8 | - | GHz |
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Diametro dell'area attiva | D | 300 | ehm |
| Diametro del tampone di incollaggio | - | 80 | ehm |
| Dimensione del dado | - | 420x420 | ehm |
| Spessore della matrice | t | 180±20 | ehm |
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A: abbiamo un chip fotodiodo InGaAs con area attiva da 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.
D: Qual è il requisito per il connettore?A: Box Optronics può personalizzare in base alle tue esigenze.
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