Il diodo laser COS chip on submount da 915 nm 12 W, che utilizza il legame AuSn e il pacchetto P Down con molteplici vantaggi di alta affidabilità, potenza di uscita stabile, alta potenza, alta efficienza, lunga durata ed alta compatibilità, è ampiamente applicato sul mercato.
Il modulo a diodo laser multimodale non raffreddato da 785 nm 2 W è ampiamente utilizzato nei test di ricerca di laboratorio, nel pompaggio laser, nella medicina, nella stampa e nella lavorazione dei materiali.
Il diodo laser a farfalla 1270nm DFB 10mW è fabbricato in un pacchetto a farfalla a 14 pin ermeticamente sigillato. I diodi laser contengono un dispositivo di raffreddamento termoelettrico (TEC), termistore, fotodiodo monitor, isolatore ottico per garantire prestazioni laser di alta qualità. Abbiamo anche una selezione completa dei clienti di potenze di uscita, tipi di pacchetto e fibre di uscita di fibre SM, fibre PM e altre fibre speciali, possiamo anche personalizzare la lunghezza d'onda, copre da 1270 nm a 1650 nm.
BoxOptronics La fibra monomodale a triplo rivestimento co-drogato di erbio-itterbio viene utilizzata principalmente nel radar laser, nel raggio laser, nell'amplificazione della comunicazione e in altri campi. La fibra ottica utilizza silice drogata con fluoro a basso indice di rifrazione come secondo materiale di rivestimento, che non solo ha una bassa perdita di giunzione e un'elevata efficienza di conversione da luce a luce, ma ha anche una buona resistenza alle alte temperature. La fibra ottica può regolare il coefficiente di assorbimento e ottenere lo spettro con una buona consistenza.
Questo diodo laser TO-CAN DFB da 1610 nm 5 mW è un prodotto utilizzabile su un ampio intervallo di temperature con un basso coefficiente di lunghezza d'onda della temperatura. È adatto per applicazioni come la ricerca sulle comunicazioni, l'interferometria e la riflettometria ottica per la misurazione della distanza in fibra o nello spazio libero. Ogni dispositivo viene sottoposto a test e rodaggio. Questo laser è confezionato in una lattina TO da 5,6 mm. Contiene una lente di messa a fuoco asferica integrata nel cappuccio, che consente di abbinare il punto di messa a fuoco e l'apertura numerica (NA) alla fibra SMF-28e+.
200um InGaAs fotodiodi a valanga APD è il più grande APD InGaAs disponibile in commercio con alta reattività e tempi di salita e discesa estremamente rapidi nell'intervallo di lunghezze d'onda da 1100 a 1650 nm, la reattività di picco a 1550 nm è ideale per applicazioni di rilevamento della distanza sicure, comunicazioni ottiche nello spazio libero, OTDR e tomografia a coerenza ottica. Il chip è sigillato ermeticamente in un pacchetto TO modificato, è disponibile anche l'opzione con treccia.
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