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Questo modulo laser in fibra CW DFB ad alta potenza a lunghezza d'onda singola da 1550nm 2W adotta il chip laser DFB e il modulo del percorso ottico ad alto guadagno per realizzare l'uscita ad alta potenza della fibra monomodale. Il circuito di guida laser e di controllo della temperatura dal design professionale garantisce il funzionamento sicuro e stabile del laser.
La fibra drogata con erbio ad alto assorbimento può ridurre la lunghezza della fibra utilizzata, riducendo così l'effetto non lineare della fibra e viene utilizzata principalmente negli amplificatori in fibra da 1,5μm e nei laser in fibra. La fibra viene pompata a 980 nm o 1480 nm e presenta una bassa perdita di giunzione e una buona consistenza.
Questo diodo laser DFB TO-CAN da 5 mW da 1550 nm è un prodotto utilizzabile su un ampio intervallo di temperature con un basso coefficiente di lunghezza d'onda della temperatura. È adatto per applicazioni come la ricerca sulle comunicazioni, l'interferometria e la riflettometria ottica per la misurazione della distanza in fibra o nello spazio libero. Ogni dispositivo viene sottoposto a test e rodaggio. Questo laser è confezionato in una lattina TO da 5,6 mm. Contiene una lente di messa a fuoco asferica integrata nel cappuccio, che consente di abbinare il punto di messa a fuoco e l'apertura numerica (NA) alla fibra SMF-28e+.
L'amplificatore EYDFA (EYDFA-HP) in fibra drogata con erbio ad alta potenza da 1 W e 30 dBm in banda C si basa sulla tecnologia dell'amplificatore in fibra drogata con erbio a doppio rivestimento, utilizzando un esclusivo processo di confezionamento ottico, abbinato a un affidabile design di protezione laser ad alta potenza, per ottenere un'uscita laser ad alta potenza nella gamma di lunghezze d'onda 1540~1565nm. Con alta potenza e basso rumore, può essere utilizzato nella comunicazione in fibra ottica, Lidar, ecc.
Il chip fotodiodo InGaAs/InP PIN da 1 mm offre una risposta eccellente da 900 nm a 1700 nm, il chip fotodiodo InGaAs/InP PIN da 1 mm è ideale per applicazioni di rete ottica a larghezza di banda elevata 1310 nm e 1550 nm. La serie di dispositivi offre alta reattività, bassa corrente di buio e larghezza di banda elevata per prestazioni elevate e design del ricevitore a bassa sensibilità. Questo dispositivo è ideale per i produttori di ricevitori ottici, transponder, moduli di trasmissione ottica e combinazione di fotodiodo PIN – amplificatore di transimpedenza.
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