BoxOptronics Dispersion Compensation Polarization Mantenimento della fibra drogata con erbio adotta un design di mantenimento del drogaggio e della polarizzazione elevato, utilizzato principalmente per il laser in fibra da 1,5μm. L'esclusivo design del nucleo e del profilo dell'indice di rifrazione della fibra le conferisce un'elevata dispersione normale ed eccellenti caratteristiche di mantenimento della polarizzazione. La fibra ha una concentrazione di drogaggio più elevata, che può ridurre la lunghezza della fibra, riducendo così l'influenza degli effetti non lineari. Allo stesso tempo, la fibra ottica mostra una bassa perdita di giunzione e una forte resistenza alla flessione. Ha una buona consistenza.
Gli amplificatori in fibra EDFA (EYDFA-HP) ad alta potenza C-band 3W 35dBm drogati con erbio si basano sulla tecnologia dell'amplificatore in fibra drogata con erbio a doppio rivestimento, utilizzando un esclusivo processo di confezionamento ottico, abbinato a un affidabile design di protezione laser ad alta potenza , per ottenere un'uscita laser ad alta potenza nella gamma di lunghezze d'onda 1540~1565nm. Con alta potenza e basso rumore, può essere utilizzato nella comunicazione in fibra ottica, Lidar, ecc.
Il chip fotodiodo da valanga InGaAs da 200 um è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.
La fibra drogata con erbio resistente alle radiazioni BoxOptronics ha buone caratteristiche anti-radiazioni, che possono ridurre efficacemente l'impatto della radiazione ionica ad alta energia sulla fibra drogata con erbio. La fibra ha una buona consistenza. Può essere pompato a 980 nm o 1480 nm e può realizzare una connessione a bassa perdita con la fibra ottica di comunicazione.
Gli amplificatori in fibra ottica EDFA ad alta potenza da 5 W e 37 dBm in banda C (EYDFA-HP) si basano sulla tecnologia dell'amplificatore in fibra drogata con erbio a doppio rivestimento, utilizzando un esclusivo processo di confezionamento ottico, abbinato a un design affidabile di protezione laser ad alta potenza, per ottenere un'uscita laser ad alta potenza nella gamma di lunghezze d'onda 1540 ~ 1565 nm. Con alta potenza e basso rumore, può essere utilizzato nella comunicazione in fibra ottica, Lidar, ecc.
Il chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 um è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.
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