Il chip fotodiodo da valanga InGaAs da 200 um è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.
Il chip fotodiodo da valanga InGaAs da 200 um è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.
Il chip fotodiodo da valanga InGaAs da 200 um è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.
Rileva la gamma 900 nm-1650 nm;
Ad alta velocità;
Alta reattività;
Bassa capacità;
Bassa corrente di oscurità;
Struttura planare illuminata dall'alto.
Monitoraggio;
Strumenti a Fibra Ottica;
Comunicazioni dati.
Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
Corrente diretta massima | - | 10 | mA |
Tensione massima di alimentazione | - | VBR | V |
Temperatura di esercizio | Topr | Da -40 a +85 | ℃ |
Temperatura di conservazione | Tstg | Da -55 a +125 | ℃ |
Parametro | Simbolo | Condizione | min. | tip. | Massimo | Unità |
Gamma di lunghezze d'onda | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
Calo di tensione | VBR | Id = 10uA | 40 | - | 60 | V |
Coefficiente di temperatura di VBR | - | - | - | 0.12 | - | V/℃ |
Reattività | R | VR = VBR -4V | 9 | 10 | - | A/I |
Corrente oscura | ID | VBR -4V | - | 6.0 | 30 | n / A |
Capacità | C | VR = 38 V, f = 1 MHz | - | 1.6 | - | pF |
Larghezza di banda | Bw | - | - | 2.0 | - | GHz |
Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
Diametro dell'area attiva | D | 200 | ehm |
Diametro del tampone di incollaggio | - | 60 | ehm |
Dimensione del dado | - | 350x350 | ehm |
Spessore della matrice | t | 180±20 | ehm |
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A: abbiamo 50um 200um 500um di area attiva InGaAs Avalanche Photodiode Chip.
D: Qual è il requisito per il connettore?A: Box Optronics può personalizzare in base alle tue esigenze.
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