Chip fotodiodo a valanga InGaAs di ampia area da 500 um
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Chip fotodiodo a valanga InGaAs di ampia area da 500 um

Il chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 um è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.

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Descrizione del prodotto

1. Riepilogo del chip fotodiodo a valanga InGaAs a grande area da 500 ehm

Il chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 ehm è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.

2. Introduzione del chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 ehm

Il chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 ehm è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.

3. Caratteristiche del chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 ehm

Rileva la gamma 900 nm-1650 nm;

Ad alta velocità;

Alta reattività;

Bassa capacità;

Bassa corrente di oscurità;

Struttura planare illehminata dall'alto.

4. Applicazione di un chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 ehm

Monitoraggio;

Strehmenti in fibra ottica;

Comunicazioni dati.

5. Valutazioni massime assolute di chip fotodiodo a valanga InGaAs di ampia area di 500 ehm

ParametroSimboloValoreUnitààà
Corrente diretta massima-10mA
Tensione massima di alimentazione-VBRV
Temperatura di esercizioToprDa -40 a +85
Temperatura di conservazioneTstgDa -55 a +125

6. Caratteristiche elettro-ottiche (T=25℃) del chip fotodiodo a valanga InGaAs di grande area da 500 ehm

ParametroSimboloCondizionemin.tip.MassimoUnitààà
Gamma di lunghezze d'ondaλ 900-1650nm
Calo di tensioneVBRId = 10uA40-52V
Coefficiente di temperatura di VBR---0.12-V/℃
ReattivitàRVR = VBR -3V1013-A/I
Corrente oscuraIDVBR -3V-0.410.0n / A
CapacitàCVR = 38 V, f = 1 MHz-8-pF
Larghezza di bandaBw--2.0-GHz

7. Parametro dimensionale del chip fotodiodo a valanga InGaAs di ampia area da 500 ehm

ParametroSimboloValoreUnitààà
Diametro dell'area attivaD53ehm
Diametro del tampone di incollaggio-65ehm
Dimensione del dado-250x250ehm
Spessore della matricet150±20ehm

8. Consegna, spedizione e servizio di chip fotodiodo a valanga InGaAs su vasta area da 500 ehm

Tutti i prodotti sono stati testati prima della spedizione;

Tutti i prodotti hanno una garanzia di 1-3 anni. (Dopo che il periodo di garanzia della qualità ha iniziato ad addebitare un'appropriata commissione per il servizio di manutenzione.)

Apprezziamo la tua attività e offriamo una politica di restituzione immediata di 7 giorni. (7 giorni dopo aver ricevuto gli articoli);

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Tutti gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali per beneficiare di un rimborso o una sostituzione;

L'acquirente è responsabile di tutte le spese di spedizione sostenute.

8. Domande frequenti

D: Qual è l'area attiva che vorresti?

A: abbiamo 50ehm 200ehm 500ehm di area attiva InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

D: Qual è il requisito per il connettore?

A: Box Optronics può personalizzare in base alle tue esigenze.

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