Circolatore in fibra ottica da 1550 nm Produttori

La nostra fabbrica fornisce moduli laser in fibra, moduli laser ultraveloci, laser a diodi ad alta potenza. La nostra azienda adotta la tecnologia di processo straniera, dispone di apparecchiature avanzate di produzione e test, nel pacchetto di accoppiamento del dispositivo, il design del modulo ha la tecnologia leader e il vantaggio di controllo dei costi, nonché il perfetto sistema di garanzia della qualità, in grado di garantire prestazioni elevate per il cliente , Prodotti optoelettronici di qualità affidabile.

Prodotti caldi

  • Laser a diodi accoppiati a fibra da 808 nm 60 Watt

    Laser a diodi accoppiati a fibra da 808 nm 60 Watt

    Il laser a diodi accoppiati a fibra da 808 nm da 60 Watt, potenza di 60 W, lunghezza d'onda di 808 nm e diametro del nucleo in fibra di 106 um. Si basano inoltre su una tecnologia multi-chip ad alta affidabilità. Sono destinati all'uso come pompe laser a stato solido pompate a diodi. Le sorgenti a singolo emettitore sono pilotate in una configurazione in serie e vengono lanciate in una fibra di uscita con un diametro del nucleo di 106 micron utilizzando micro-ottica ad alta potenza. Tutti questi dispositivi accoppiati a fibra multi-emettitore singolo vengono sottoposti a ciclo attraverso un robusto processo di burn-in e ispezione per garantire una lunga durata e durata. Abbiamo offerto con una garanzia di un anno e in genere spediamo da magazzino.
  • Sorgente luminosa a banda larga 1060nm ASE per la fabbricazione di reticoli FBG

    Sorgente luminosa a banda larga 1060nm ASE per la fabbricazione di reticoli FBG

    La sorgente luminosa a banda larga 1060nm ASE per la fabbricazione del reticolo FBG può essere utilizzata nel test del dispositivo in fibra, nel sistema di scrittura del reticolo FBG, ecc.
  • 200um InGaAs fotodiodi a valanga APD

    200um InGaAs fotodiodi a valanga APD

    200um InGaAs fotodiodi a valanga APD è il più grande APD InGaAs disponibile in commercio con alta reattività e tempi di salita e discesa estremamente rapidi nell'intervallo di lunghezze d'onda da 1100 a 1650 nm, la reattività di picco a 1550 nm è ideale per applicazioni di rilevamento della distanza sicure, comunicazioni ottiche nello spazio libero, OTDR e tomografia a coerenza ottica. Il chip è sigillato ermeticamente in un pacchetto TO modificato, è disponibile anche l'opzione con treccia.
  • Laser a diodi accoppiati a fibra da 975 nm 976 nm 980 nm 60 W

    Laser a diodi accoppiati a fibra da 975 nm 976 nm 980 nm 60 W

    Il laser a diodi accoppiati a fibra da 975 nm 976 nm 980 nm 60 W offre un'uscita di 60 W attraverso una fibra da 105 um. Questa serie di diodi laser sfrutta una lunga storia di pacchetti accoppiati in fibra, incorporando un design altamente affidabile in un prodotto commerciale scalabile. Questa serie è una soluzione unica per il mercato delle pompe laser accoppiate in fibra, offrendo potenti attributi tecnici in un pacchetto conveniente.
  • Chip fotodiodo a valanga InGaAs di ampia area da 500 um

    Chip fotodiodo a valanga InGaAs di ampia area da 500 um

    Il chip fotodiodo a valanga InGaAs ad ampia area da 500 um è appositamente progettato per avere un basso buio, una bassa capacità e un alto guadagno di valanghe. Utilizzando questo chip è possibile ottenere un ricevitore ottico con un'elevata sensibilità.
  • Fibra co-drogata con erbio-itterbio ad alto campo modale ad alto assorbimento

    Fibra co-drogata con erbio-itterbio ad alto campo modale ad alto assorbimento

    La fibra co-drogata con erbio-itterbio ad alto campo di modalità ad alto assorbimento BoxOptronics ha un esclusivo design a bassa NA del nucleo, che può ottenere un'elevata qualità del raggio senza ridurre l'efficienza di conversione della pompa. L'alto rivestimento NA garantisce un'elevata efficienza di accoppiamento della pompa e il design del diametro del nucleo di grandi dimensioni garantisce un'ampia area del campo modale e una lunghezza della fibra corta, riducendo così notevolmente la soglia degli effetti non lineari. La fibra ha una buona consistenza, una migliore soppressione dell'ASE parassita da 1um, un'elevata efficienza di conversione da luce a luce e una buona stabilità durante il funzionamento ad alta potenza.

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