500um TO CAN InGaAs fotodiodi a valanga APDs è il più grande APD InGaAs disponibile in commercio con elevata reattività e tempi di salita e discesa estremamente rapidi in tutta la gamma di lunghezze d'onda da 1100 a 1650nm, la responsività di picco a 1550nm è ideale per applicazioni di telemetro sicure eys, spazio ottico libero comunicazioni, OTDR e tomografia a coerenza ottica. Il chip è sigillato ermeticamente in un pacchetto TO modificato, è disponibile anche l'opzione con treccia.
500um TO CAN InGaAs fotodiodi a valanga APDs è il più grande APD InGaAs disponibile in commercio con elevata reattività e tempi di salita e discesa estremamente rapidi in tutta la gamma di lunghezze d'onda da 1100 a 1650nm, la responsività di picco a 1550nm è ideale per applicazioni di telemetro sicure eys, spazio ottico libero comunicazioni, OTDR e tomografia a coerenza ottica.
Il chip è sigillato ermeticamente in un pacchetto TO modificato, è disponibile anche l'opzione con treccia.
500um TO CAN InGaAs fotodiodi a valanga APDs è il più grande APD InGaAs disponibile in commercio con elevata reattività e tempi di salita e discesa estremamente rapidi in tutta la gamma di lunghezze d'onda da 1100 a 1650nm, la responsività di picco a 1550nm è ideale per applicazioni di telemetro sicure eys, spazio ottico libero comunicazioni, OTDR e tomografia a coerenza ottica.
Il chip è sigillato ermeticamente in un pacchetto TO modificato, è disponibile anche l'opzione con treccia.
Rileva gamma 1100nm-1650nm;
Ampia gamma dinamica;
Alta responsabilità;
Bassa corrente di buio;
Pacchetto TO-46 standard.
Sensore ottico;
comunicazioni ottiche nello spazio libero.
Parametro | Simbolo | Condizione | min. | Massimo. | Unità |
PD Tensione inversa | realtà virtuale | CW | - | VBR | V |
Corrente diretta | SE | CW | - | 10 | mA |
Corrente inversa | IR | CW | - | 10 | mA |
Temperatura di esercizio | SUPERIORE | Temperatura della cassa | -40 | +85 | ℃ |
Temperatura di conservazione | STTG | Temperatura ambiente | -40 | +85 | ℃ |
Temperatura/tempo di saldatura del piombo | Ts | - | - | 260/10 | €/S |
Parametro | Simbolo | Condizione | min. | Tip. | Massimo. | Unità |
Gamma di lunghezze d'onda | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
Area attiva | φ | - | - | 500 | - | ehm |
Responsabilità | Rif | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
Fattore di moltiplicazione | M | VR=VBR-4, λ=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
Corrente oscura | ID | VR=VBR-4, Ïe=0 | - | 60 | 200 | n / a |
Tensione di rottura inversa | VBR | ID=10μA, Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
Larghezza di banda | BW | -3dB punto, M=10, RL=50Ω | - | 2.5 | - | GHz |
Capacità | C | M=10, Ïe=0, f=1MHz | - | 8 | - | pF |
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A: abbiamo fotodiodi a valanga ad area attiva da 0,3 mm 0,5 mm 1 mm.
D: Qual è il requisito per il connettore?A: Box Optronics può personalizzare in base alle tue esigenze.
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