Diodo laser DFB da 1064 nm Produttori

La nostra fabbrica fornisce moduli laser in fibra, moduli laser ultraveloci, laser a diodi ad alta potenza. La nostra azienda adotta la tecnologia di processo straniera, dispone di apparecchiature avanzate di produzione e test, nel pacchetto di accoppiamento del dispositivo, il design del modulo ha la tecnologia leader e il vantaggio di controllo dei costi, nonché il perfetto sistema di garanzia della qualità, in grado di garantire prestazioni elevate per il cliente , Prodotti optoelettronici di qualità affidabile.

Prodotti caldi

  • Diodo laser a farfalla 1683nm 10mW DFB per rilevamento gas etano C2H6

    Diodo laser a farfalla 1683nm 10mW DFB per rilevamento gas etano C2H6

    Il diodo laser a farfalla DFB da 1683 nm 10 mW per il rilevamento del gas etano C2H6 è stato progettato specificamente per soddisfare i requisiti dell'applicazione del sensore. I dispositivi sono caratterizzati da un'elevata potenza di uscita e da un ampio intervallo di temperature operative. I loro pacchetti a farfalla a 14 pin sono compatibili con i pin con i dispositivi SONET OC-48 standard.
  • Modulo laser accoppiato in fibra ad alta potenza da 1120 nm per la ricerca ottica non lineare

    Modulo laser accoppiato in fibra ad alta potenza da 1120 nm per la ricerca ottica non lineare

    Questo laser utilizza un chip laser a semiconduttore a forma di farfalla. I circuiti di controllo del driver e della temperatura progettati professionalmente garantiscono un funzionamento sicuro, una potenza di uscita stabile e uno spettro stabile. È adatto come laser di semi per laser ad alta potenza e può anche essere utilizzato per i test di produzione di dispositivi ottici. Disponibile in pacchetti da banco o modulari.
  • Chip da 915 nm 12 W su diodo laser COS sottomontaggio

    Chip da 915 nm 12 W su diodo laser COS sottomontaggio

    Il diodo laser COS chip on submount da 915 nm 12 W, che utilizza il legame AuSn e il pacchetto P Down con molteplici vantaggi di alta affidabilità, potenza di uscita stabile, alta potenza, alta efficienza, lunga durata ed alta compatibilità, è ampiamente applicato sul mercato.
  • Diodo laser a farfalla a infrarossi DFB da 1572 nm 10 mW

    Diodo laser a farfalla a infrarossi DFB da 1572 nm 10 mW

    La serie di laser a diodi laser a farfalla a infrarossi DFB da 1572 nm 10 mW fornisce una potenza di uscita CW di circa 10 mW o 20 mW. Il cliente può ordinare qualsiasi gamma di lunghezze d'onda nella lunghezza d'onda ITU. È ampiamente utilizzato nel telerilevamento, nella comunicazione, nell'analisi dello spettro, nel rilevamento di gas ecc.
  • Diodo laser DFB 1653nm per rilevamento CH4

    Diodo laser DFB 1653nm per rilevamento CH4

    Il diodo laser DFB da 1653 nm per il rilevamento CH4 offre una lunghezza d'onda affidabile e stabile e un'elevata potenza in uscita, con lente di collimazione. Questo laser a modalità longitudinale singola è progettato specificamente per applicazioni di rilevamento di gas mirate al metano (CH4). L'uscita a larghezza di riga ridotta migliora le prestazioni dell'applicazione in un'ampia gamma di condizioni operative.
  • Fibre Raman di fosforo altamente drogate

    Fibre Raman di fosforo altamente drogate

    Le fibre Raman al fosforo altamente drogate di Boxoptronics sono progettate per laser e amplificatori Raman efficienti che operano nell'intervallo spettrale di 1,1-1,6 µm. Il vantaggio principale della fibra drogata con fosforo è il valore di spostamento Raman tre volte superiore rispetto alla fibra drogata con germanio. Questa caratteristica può semplificare notevolmente la progettazione di laser e amplificatori in fibra Raman.

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